А.В. Коробейник
РЕМОНТ АВТОМОБИЛЕЙ
Теоретический курс
стр. 207
208
ромагнитных материалов. Используется для обнаружения поверхностных нарушений сплошности с шириной раскрытия у поверхности 0,001 мм, глубиной 0,01 мм и обнаружения сравнительно крупных подповерхностных дефектов, находящихся на глубине до 1,5-2,0 мм. Метод основан на использовании магнитного поля рассеяния, возникающего над дефектом при намагничивании изделия, в его основе лежит явление притяжения частиц магнитного порошка в местах выхода на поверхность контролируемой детали магнитного потока. Визуализация форм и размеров невидимых в обычных условиях дефектов обеспечивается благодаря скоплению магнитного порошка в области дефекта.
Возможность точного установления расположения концов усталостных трещин и обнаружение дефектов через слой немагнитного покрытия — это важное достоинство метода. Применяют магнитные суспензии, если на контролируемой поверхности толщина немагнитного покрытия составляет до 0,1 мм, и магнитный порошок во взвешенном состоянии — если свыше 0,1 мм.
Магнитными характеристиками материала контролируемого изделия, его формой и размерами, чистотой обработки поверхности, напряженностью намагничивающего поля, способами контроля, взаимным направлением намагничивающего поля и дефекта, характеристиками применяемого порошка, способом нанесения порошка или суспензии, а также освещенностью контролируемого участка изделия определяется чувствительность метода. Установлены следующие уровни чувствительности (табл. 32).
Техника выполнения дефектации данным методом следующая:
— для выявления дефектов деталь намагничивают;
— на поверхность, подлежащую контролю, наносят ферромагнитные частицы, которые находятся во взвешенном состоянии (чаще всего в виде суспензий на основе воды, керосина, минеральных масел);
— если на пути магнитного потока встречается препятствие в виде нарушения сплошности (дефект), то часть магнитных силовых линий выходит из металла (рис. 49). Там, где они выходят из металла и входят обратно, образуются локальные магнитные полюса N и S, обусловливающие ло